半導(dǎo)體晶片研磨的基本技術(shù)是磨削加工 ，通過(guò)研磨機(jī)磨板的旋轉(zhuǎn)和分散在磨板上的磨劑對(duì)作行星式運(yùn)動(dòng)的晶片進(jìn)行連續(xù)的磨削加工，以達(dá)到去除切片過(guò)程中產(chǎn)生的刀痕、切片損傷層和控制厚度的目的。精密的磨片機(jī)加工出的晶片，在同一盤(pán)上的晶片厚度公差小于1μm，不同盤(pán)次公差小于5μm;不平行度小于2μm?！　?/p>

研磨機(jī)磨板的材質(zhì)對(duì)于加工不同的晶片要進(jìn)行選擇，普遍采用的是經(jīng)特殊工藝鑄造加工的球墨鑄鐵板，要求磨板表面在一定厚度內(nèi)的球狀石墨粒度大小適中、分布均勻，磨板表面各處的硬度均勻。對(duì)于化合物半導(dǎo)體材料，晶片的研磨加工采用特種玻璃制造的磨板。雙面研磨機(jī)的上、下兩塊磨板的自身平整度和相互的平行度將決定晶片研磨的平行度?！?/p>

半導(dǎo)體晶片研磨劑由磨料和磨液配制而成

研磨料的硬度、形狀、顆粒尺寸和均勻度以及磨液的易使用性對(duì)研磨粒的分散和懸浮性以及可清洗性，都將影響晶片表面的加工質(zhì)量。對(duì)于硬度較高的晶片可采用金剛石研磨料，一般采用三氧化二鋁剛玉粉或碳化硅粉作為研磨料。磨料的粒度視被加工晶片物性和可能造成的表面損傷層深度來(lái)選用。在半導(dǎo)體晶片加工中，通常選用8～10μm，10～12μm或12～14μm的氧化鋁剛玉粉作為磨料，以保證較快的磨削速度，同時(shí)不遺留過(guò)深的損傷層。　

半導(dǎo)體晶片晶片在研磨加工過(guò)程中，基本的工藝參數(shù)是：晶片表面所受到的來(lái)自磨板的壓力、磨板的轉(zhuǎn)速、研磨劑濃度和流量，磨料的硬度和顆粒尺寸等。表征研磨晶片質(zhì)量的參數(shù)主要有：厚度、總厚度偏差、平行度或錐度、表面粗糙度以及有無(wú)劃傷等。

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